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宏微科技:自研化合物半導體已進入客戶認證階段

日期:2024-07-22 閱讀:579
核心提示:宏微科技自研第七代 IGBT 芯片,平臺已實現(xiàn)穩(wěn)定量產,特性可對標進口七代芯片,實現(xiàn)全面替代;自研化合物半導體已進入客戶認證階段,特性做到國內領先。

 近日,宏微科技在接受機構調研時稱,目前,自研第七代 IGBT 芯片,平臺已實現(xiàn)穩(wěn)定量產,特性可對標進口七代芯片,實現(xiàn)全面替代;自研化合物半導體已進入客戶認證階段,特性做到國內領先。未來芯片技術也有更高功率密度、更高電壓、細分應用領域的布局,確保公司產品的持續(xù)競爭力與增長力。

對于光伏逆變器與 IGBT 價格變化,宏微科技指出,2023 年下半年受宏觀環(huán)境復雜性影響,行業(yè)終端需求持續(xù)低迷,國內半導體行業(yè)在產品周期、產能周期、庫存周期三重周期的疊加情形下, 半導體行業(yè)有所下滑,IGBT市場的下游需求降溫。

根據國家海關數(shù)據統(tǒng)計,國內逆變器出口連續(xù)三個月環(huán)比增長,2024 年 5 月逆變器出口接近去年同期水平。從公司在手訂單看,訂單量環(huán)比提升,有望迎來利潤的修復改善。2024年下半年,隨著宏觀經濟的復蘇以及新產品持續(xù)推向市場,IGBT的市場價格有望回歸到合理水平。

數(shù)據中心領域,隨著高性能計算領域的快速成長,用電需求增大,電力來源需要靠新能源發(fā)電來支撐,將給公司業(yè)績增長帶來動力。公司已有成熟產品批量應用于數(shù)據中心電源產品。未來公司也將在大型 GPU高性能電源管理等領域積極探索布局,助推以新質生產力為代表的高質量產業(yè)發(fā)展。

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