美股財報季高潮來臨前夕，半導體市場巨頭之一美光被起訴了。
近日，長江存儲控告美光(MU.O)侵犯11項專利，這些專利涵蓋美光旗下多種內(nèi)存芯片產(chǎn)品。這不是兩家公司首次發(fā)生糾紛。去年，長江存儲就曾狀告美光侵犯8項專利，要求法院禁止美光在美銷售相關產(chǎn)品或向其支付專利授權費。
美光和長江存儲的訴訟圍繞NAND Flash存儲芯片展開。在這個高度集中的市場里，三星（005930.KS，SSNLF.OO）、美光(MU.O)、SK海力士（000660.KS）等幾家企業(yè)包攬了接近60%的份額。
1978年，美光成立于美國愛達荷州，在近40年后，長江存儲才在武漢“出生”。在半導體市場，企業(yè)存續(xù)的時間很多時候意味著技術、產(chǎn)品、客戶和資金的積淀。“后來者”想要闖進圍城，需要跨過技術、資金、規(guī)模等多道門檻。
長江存儲為何敢向美光發(fā)起挑戰(zhàn)？
后來者的勝算
長江存儲在去年、今年分別向美光發(fā)起的兩次專利訴訟，共涉及19項專利。長江存儲認為，美光的96層、128層、176層和232層內(nèi)存芯片以及部分DDR5 DRAM芯片（Y2BM系列）涉嫌侵權。
在兩次的起訴中，長江存儲的訴求基本一致，即請求法院禁止美光在美銷售相關產(chǎn)品，賠償侵權損失；若法院拒絕申請永久禁令，則美光需向其支付持續(xù)性許可費（ongoing royalty）。
兩度起訴，勝算幾何？
“從公開資料來看，這些是3D NAND產(chǎn)品不太容易繞過的核心專利，長江存儲的勝算比較大。”前人工智能NLP企業(yè)首席科學家、千芯科技董事長陳巍告訴時代財經(jīng)記者，他認為長江存儲在經(jīng)過多年的3D NAND專利布局后已經(jīng)形成了一定的專利壁壘。
涉案專利主要涉及3D NAND存儲陣列器件結構與工藝技術、Xtacking（長江存儲專利技術）工藝技術、NAND存儲器編程方法等關鍵基礎專利。陳巍認為，“美光很有可能在這兩起案件中尋求和解。”
針對訴訟的相關情況，時代財經(jīng)記者進一步聯(lián)系長江存儲和美光集團，但長江存儲方面表示目前暫無具體回應，美光集團截至發(fā)稿也未對具體問題做出回應。
存儲芯片（又稱半導體存儲器），是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，它是智能手機、PC、AI服務器等消費電子核心支撐硬件。
存儲芯片分為閃存和內(nèi)存兩種。閃存主要包括NAND Flash、NOR Flash，而內(nèi)存主要為DRAM。
在存儲芯片領域，三星、美光、SK海力士號稱“三巨頭”，彭博數(shù)據(jù)顯示，2021年三星電子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市場的份額高達94.1%。在NAND Flash領域，中商產(chǎn)業(yè)研究院2023年數(shù)據(jù)顯示，它們的市場份額分別達到32.7%、18.4%和10.8%。
在閃存芯片制造過程中，隨著芯片在2D平面向更小尺寸發(fā)展，技術瓶頸逐步顯現(xiàn)，在尺寸過小的情況下，每個存儲單元之間的相互影響增加，容易產(chǎn)生電荷干擾和數(shù)據(jù)損失。為了解決這個問題，制造商轉向了3D NAND技術，這種技術通過在垂直方向上堆疊存儲單元來實現(xiàn)存儲芯片的擴展。
成立于2016年的長江存儲是國內(nèi)最大的3D NAND Flash廠商（閃存芯片制造）。民生證券研報指出，截至2020 年末，長江存儲取得全球接近1%市場份額，成為六大國際原廠以外市場份額最大的NAND晶圓原廠。
進擊的后來者
作為后入局者長江存儲為何能會反過來指控巨頭美光侵權？這與長江存儲的核心武器——Xtacking技術脫不開關系。
在Xtacking推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構和CuA（CMOS under Array）架構。與先前架構相比，Xtacking可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，當兩片晶圓各自完工后再將他們合二為一。根據(jù)長江存儲官方說法，這一技術能夠使產(chǎn)品開發(fā)時間縮短三個月，生產(chǎn)周期縮短20%。
2022年11月，美國半導體資訊網(wǎng)站TechInsights發(fā)布了一篇文章，用“令人驚嘆”等詞語來形容長江存儲232層閃存顆粒的上市量產(chǎn)。TechInsights表示，這是全球市場上首個200層以上的3D NAND零售解決方案，比三星、美光都要早。
后來居上的長江存儲到底是誰？
2016年7月，在武漢新芯的基礎上，長江存儲正式成立。
次年，長江存儲設計制造了中國首款3D NAND Flash芯片，突破32層，并實現(xiàn)首次流片。2018年，第一代3D NAND閃存實現(xiàn)量產(chǎn)，第二代3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片， Xtacking架構也在該年發(fā)布。同年，長江存儲公司的總投資額已達到240億美元。
2019年，長江存儲量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國首款64層3D NAND閃存。第三代TLC 3D NAND（X2-9060）設計完成，并實現(xiàn)首次流片。
2020年，長江存儲成功研發(fā)出第三代QLC 3D NAND（X2-6070），堆層數(shù)達到128層同年，公司研發(fā)的消費級SSD上市，eMMC/UFS嵌入式存儲順利通過驗證。
2021年，長江存儲研發(fā)制造的第三代TLC/QLC NAND（X2-9060/X2-6070）全面量產(chǎn)eMMC/UFS量產(chǎn)出貨，一期工廠實現(xiàn)滿產(chǎn)。
2022年，除了232層閃存顆粒實現(xiàn)量產(chǎn)的動態(tài)，公司基于第三代NAND的系統(tǒng)解決方案上市，正式發(fā)布了Xtacking3.0技術架構。
目前長江存儲和美光專利訴訟中，也涉及Xtacking工藝技術的相關專利。
先進封測成新賽點
除了Xtacking架構，長江存儲瞄準的新賽點是先進封裝技術。
近日，中國半導體行業(yè)協(xié)會理事長、長江存儲董事長陳南翔近日再接受中央廣播電視總臺CGTN專訪時表示：現(xiàn)在（中美）芯片半導體產(chǎn)業(yè)顯然是已經(jīng)失去了“摩爾定律”像過去有效時的一個最重要的東西——“共識”。
“因為現(xiàn)在是一個應用為王的時代，此外以前大家注重的都是晶圓制造技術，而在當下還需要最新的封裝技術的加持。比如當前火熱的AI芯片都是需要最先進的晶圓制造技術和最先進的封裝技術的。可以預測，在未來非常近的一天，封裝技術的重要性恐怕都要超過晶圓制造技術的重要性。”陳南翔在采訪中表示。
從產(chǎn)業(yè)鏈視角出發(fā)，晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈的上游為IC設計，中游為晶圓制造，下游則是封裝測試環(huán)節(jié)。
在之前，晶圓制造產(chǎn)業(yè)在此前一直占據(jù)比較大的市場份額。德邦證券研報指出，晶圓制造環(huán)節(jié)在整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的價值占比約為19%。
不過，隨著集成電路制造工藝水平已經(jīng)接近半導體器件正常工作的尺寸極限。維持了近六十年的摩爾定律腳步正逐漸放緩。
“國際國內(nèi)都開始尋求通過先進封裝集成技術來進一步提升芯片的算力或存儲容量。”陳巍表示。
YOLE最新數(shù)據(jù)顯示，全球先進封裝市場在2023年至2029年期間預計將以12.9%的年復合增長率（CAGR）持續(xù)擴大，市場規(guī)模有望從2023年的392億美元增長到2029年的811億美元。
這為本就在先進封裝產(chǎn)業(yè)占據(jù)一定優(yōu)勢的中國企業(yè)發(fā)力帶來了機遇。
“長江存儲的Xtacking技術，加速了產(chǎn)品研發(fā)進程并降低了總體成本，公司事實上已經(jīng)從先進封裝集成技術上受益。”陳巍表示。
此外，長江存儲還在封測領域有所布局。例如長江存儲控股50.94%宏茂微電子（上海）有限公司就提供多樣化的半導體芯片封測解決方案，產(chǎn)品覆蓋3D NAND (Raw NAND， eMMC， UFS， eMCP)、2D NAND、NOR、 DRAM、SRAM等存儲器產(chǎn)品的封裝和測試。
國投證券認為，存儲產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷“美—日—韓”的變遷，未來十年是中國存儲的黃金十年。
陳巍也持類似觀點。“存儲器產(chǎn)業(yè)屬于“資本+生產(chǎn)+技術”密集型，目前看只有中日韓三國能提供恰到好處的產(chǎn)品人才和技術人才。”在他看來，我國企業(yè)背靠國內(nèi)的電子產(chǎn)業(yè)鏈，有比較好的產(chǎn)業(yè)客戶需求和產(chǎn)業(yè)協(xié)作優(yōu)勢。
本文源自：時代財經(jīng)
