天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司近日取得一項(xiàng)名為“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN112951922B，授權(quán)公告日為2024年7月23日，申請(qǐng)日為2021年3月25日。

本發(fā)明提供了一種集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制備方法，由于用于ESD的PN結(jié)二極管是集成在MOSFET器件本身需要的柵極壓焊區(qū)下方，不需要額外的芯片面積，不會(huì)影響芯片的集成度。且柵極壓焊區(qū)的面積較大，使得PN結(jié)二極管的面積也可以較大，PN結(jié)二極管環(huán)繞在柵極壓焊區(qū)的下方，可以利用柵極壓焊區(qū)的面積，增大PN結(jié)二極管的面積提高ESD泄放能力；由于通過(guò)調(diào)節(jié)PN結(jié)邊緣的形貌和摻雜濃度就可以調(diào)節(jié)PN結(jié)二極管的擊穿電壓，因此通過(guò)在第一摻雜離子重注入?yún)^(qū)和第二摻雜離子注入?yún)^(qū)的邊緣設(shè)置多個(gè)尖峰角，就可以調(diào)節(jié)PN結(jié)二極管的擊穿電壓；且所述PN結(jié)二極管的形成是和形成MOSFET器件的工藝步驟同步進(jìn)行，不額外增加光刻掩膜步驟，不會(huì)增加芯片制作成本。