天眼查顯示，華羿微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN117476770B，授權(quán)公告日為2024年7月19日，申請(qǐng)日為2023年11月16日。

本發(fā)明公開(kāi)了一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法，將器件有源區(qū)部分溝槽區(qū)域的源極多晶硅或者柵極多晶硅通過(guò)接觸孔與源極金屬層相連，使得該部分區(qū)域不參與整個(gè)器件的導(dǎo)通，能夠有效降低器件的柵極電荷，同時(shí)由于溝槽下方屏蔽柵的存在可以保障器件有足夠擊穿電壓。該器件在中高壓領(lǐng)域具有極大優(yōu)勢(shì)，當(dāng)器件有源區(qū)50%的區(qū)域采用此種技術(shù)將使得器件的FOM最優(yōu)值降低~46.5%（以150V耐壓器件為例），從而最終使得器件最優(yōu)值FOM降低并且擁有更高的性價(jià)比。該器件的制作方法能夠很好的與現(xiàn)有屏蔽柵型MOSFET器件制造工藝兼容，因此不會(huì)帶來(lái)不可實(shí)現(xiàn)工藝的技術(shù)瓶頸，具有很高的轉(zhuǎn)化價(jià)值。