天眼查顯示，華羿微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“新型功率MOSFET器件及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN109524472B，授權(quán)公告日為2024年7月19日，申請日為2018年12月29日。 

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種新型功率MOSFET器件及其制備方法，器件包括漏極金屬區(qū)層、N+單晶硅襯底、N外延層、P型阱區(qū)層、N+源極區(qū)、絕緣介質(zhì)層、源級(jí)金屬區(qū)層，還包括溝槽；第一柵氧化層和第二柵氧化層；第一多晶硅層和第二多晶硅層及接觸孔。本發(fā)明還提供了該器件的制備方法，本發(fā)明使得器件擁有較低Qgd的同時(shí)，也擁有較低的導(dǎo)通電阻，且制備方法無需增加新的成本，提高了市場競爭力，且具有推廣價(jià)值。