近日，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目（以下簡稱“二期項目”）環(huán)評審批。環(huán)評報告書中指出，隨著北京天科合達創(chuàng)新能力、市場占有率的不斷提升，行業(yè)內影響力不斷增強，計劃擴大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側地塊建設二期項目。

據(jù)悉，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。 

公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關配套設施。該項目用于擴大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。