8月28日，飛锃半導(dǎo)體香港子公司（Alpha Power Solutions Hong Kong Limited）獲得香港創(chuàng)新科技署創(chuàng)新及科技基金資助，用于開發(fā)SiC溝槽MOSFET晶體管制造技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)，助力打造粵港澳大灣區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)“芯”高地。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)作為香港近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域之一。為此，特區(qū)政府設(shè)立了專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院，將專注于支持第三代半導(dǎo)體材料，特別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并通過(guò)構(gòu)建大學(xué)、研發(fā)中心與產(chǎn)業(yè)界之間的緊密合作網(wǎng)絡(luò)，加速技術(shù)轉(zhuǎn)化和商業(yè)化進(jìn)程。這將有助于推動(dòng)香港成為全球第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用中心，為香港乃至大灣區(qū)的科技創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入新的活力。

飛锃半導(dǎo)體，作為中國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，長(zhǎng)期以來(lái)專注于碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，已成功在新能源汽車、直流充電樁、光伏及儲(chǔ)能、智能家居等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，為行業(yè)頭部企業(yè)提供了優(yōu)化的碳化硅產(chǎn)品解決方案，為碳中和目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)貢獻(xiàn)了重要力量。

飛锃半導(dǎo)體首席執(zhí)行官周永昌（Tony Chau）表示：“在創(chuàng)新科技署的支持下，飛锃半導(dǎo)體已經(jīng)取得了顯著成就，成功開發(fā)出并量產(chǎn)與國(guó)際頂尖IDM供應(yīng)商性能相當(dāng)?shù)奶蓟瓒O管和MOSFET產(chǎn)品，并確立了我們?cè)谔蓟杵骷I(lǐng)域的領(lǐng)先地位。憑借在碳化硅器件工藝方面的深厚積累，我們勇敢迎接新挑戰(zhàn)，全力開發(fā)碳化硅 TRENCH MOSFET 以降低單位成本，推動(dòng)碳化硅 MOSFET 推向更廣闊的市場(chǎng)。”

針對(duì)平面碳化硅晶體管成本高、微型化難度大等挑戰(zhàn)，飛锃半導(dǎo)體將聚焦于開發(fā)一種創(chuàng)新性的碳化硅MOSFET制造技術(shù)，力求以成本效益的方式提供世界級(jí)品質(zhì)的產(chǎn)品。在平面碳化硅MOSFET技術(shù)成功應(yīng)用的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步探索溝槽式碳化硅MOSFET技術(shù)，優(yōu)化傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中的JFET電阻，有效降低RSP，為未來(lái)幾代產(chǎn)品的進(jìn)一步微型化奠定基礎(chǔ)。

此外，飛锃半導(dǎo)體還將深入研究碳化硅溝槽蝕刻、柵極電介質(zhì)優(yōu)化及退火工藝等關(guān)鍵技術(shù)，確保溝槽側(cè)壁和底部的平滑度，從而解決碳化硅MOSFET器件的可靠性問題?；陲w锃半導(dǎo)體在碳化硅MOSFET領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，將繼續(xù)探索各種布局和器件結(jié)構(gòu)，以持續(xù)提升器件性能，滿足市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。

飛锃半導(dǎo)體將繼續(xù)致力于提供市場(chǎng)上具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。此次獲得香港創(chuàng)新科技署創(chuàng)新及科技基金資助，飛锃半導(dǎo)體將助力粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)粵港澳大灣區(qū)成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先力量。