天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司,西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“用于外延設(shè)備的處理方法“，公開號(hào) CN202410542371.6，申請日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本公開涉及用于外延設(shè)備的處理方法，外延設(shè)備包括反應(yīng)腔室和傳送腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基座，傳送腔室內(nèi)設(shè)置有傳送臂，傳送臂用于將待生長外延的晶圓傳送至基座，處理方法包括：步驟 S1：在第一溫度下向反應(yīng)腔室通入硅源氣體；步驟 S2：在第二溫度下使傳送臂以未承載晶圓的狀態(tài)從傳送腔室進(jìn)入反應(yīng)腔室并從反應(yīng)腔室返回傳送腔室；以及步驟 S3：在第三溫度下對反應(yīng)腔室烘烤預(yù)定時(shí)間，其中，步驟 S2 循環(huán)執(zhí)行多次。通過上述處理方法，能夠以較短的時(shí)間完成反應(yīng)腔室內(nèi)水分的去除并在去除水分的過程中避免基座的 SiC 層受到水分的侵蝕。