天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，華羿微電子股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法“，授權(quán)公告號(hào) CN118248736B，申請(qǐng)日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件，通過(guò)在器件有源區(qū)中間隔錯(cuò)位或者平行排列而形成溝槽寬度和接觸孔寬度的不同版圖布局，該布局是通過(guò)光刻的方式在器件有源區(qū)中間隔錯(cuò)位或者平行排列形成溝槽和接觸孔不同寬度，使得該區(qū)域擁有更窄的溝槽到接觸孔距離，從而在接觸孔注入后形成該區(qū)域與其他區(qū)域不同的濃度梯度，實(shí)現(xiàn)在器件導(dǎo)通時(shí)其他區(qū)域優(yōu)先開(kāi)啟而該區(qū)域延遲開(kāi)啟，最終在其他區(qū)域優(yōu)先開(kāi)啟的情況下，該區(qū)域可以作為散熱場(chǎng)板從而提升器件整體的 SOA。本發(fā)明還提供了一種上述器件的制備方法，該器件的制備方法與一般功率器件制造工藝兼容，能夠應(yīng)用于平面型以及溝槽型和屏蔽柵型 MOSFET 甚至超結(jié) MOSFET 和 IGBT 等功率器件當(dāng)中。