日本信越化學(xué)工業(yè)開(kāi)發(fā)出用于制造氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的大型基板。

據(jù)媒體報(bào)道，此次成功實(shí)現(xiàn)大型化的是用于制造氮化鎵化合物半導(dǎo)體的基板。據(jù)悉這種基板可用于6G通信半導(dǎo)體以及數(shù)據(jù)中心使用的功率半導(dǎo)體等。如果使用氮化鎵，就可以在高頻段實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定通信，以及進(jìn)行大功率控制，但一直很難生產(chǎn)出高品質(zhì)的大型基板，這成為普及的障礙。

信越化學(xué)擁有以“QST基板”（使用氮化鋁等材料的自主基板）為基礎(chǔ)，來(lái)制備氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)。與硅基板相比，可以制作出更薄、品質(zhì)更高的氮化鎵結(jié)晶。成功開(kāi)發(fā)出了口徑為300毫米的QST基板，面積是此前產(chǎn)品的約2.3倍，與傳統(tǒng)半導(dǎo)體常用的硅基板面積相同。 

（來(lái)源：集微）