9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再次獲得突破。

據(jù)悉，此次“全新升級(jí)”的8英寸碳化硅外延設(shè)備，具備更快、更好、更穩(wěn)定的特點(diǎn)，通過改進(jìn)激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術(shù)，設(shè)備自動(dòng)化性能更加成熟，提升產(chǎn)品生產(chǎn)效率。設(shè)備還成功引入新的摻雜技術(shù)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品良率，持續(xù)降低生產(chǎn)成本。

湖南省科技事務(wù)中心還透露，中國電科48所研發(fā)的8英寸設(shè)備在6英寸設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行創(chuàng)新，其外延層的厚度以及摻雜濃度的均勻性，都得到極大的提升：8英寸生長厚度均勻性小于1.5%，摻雜濃度均勻性小于4%，表面致命缺陷小于0.4個(gè)/cm²。