天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法“，公開(kāi)號(hào) CN202410945473.2，申請(qǐng)日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在器件的的 P 體區(qū)和 P+溝道區(qū)之間形成一個(gè)薄的 N+層，關(guān)態(tài)狀態(tài)下 G 極電極不加電壓，該 N+層在 P 體區(qū)和 P+溝道區(qū)的夾持下被完全耗盡，不導(dǎo)電，開(kāi)態(tài)狀態(tài)下 G 極電極加正電壓，柵氧一側(cè) P+溝道區(qū)形成反型層導(dǎo)電溝道，同時(shí)由于 G 極電極加正電壓，P 體區(qū)和 P+溝道區(qū)夾持的 N+層由完全耗盡狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎?dǎo)電狀態(tài)，N+層和反型層導(dǎo)電溝道并聯(lián)，共同承擔(dān)器件的通流，降低了平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻。