天眼查知識產權信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種半導體結構的制作方法及動態(tài)調整系統(tǒng)“，公開號 CN202411154851.1，申請日期為 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種半導體結構的制作方法及動態(tài)調整系統(tǒng)，屬于半導體制造技術領域。制作方法包括：提供一襯底，其上依次形成墊氧化層和墊氮化層；在襯底內形成淺溝槽并沉積絕緣介質；平坦化絕緣介質至與墊氮化層齊平；測量絕緣介質的厚度，與目標值進行比對；絕緣介質的厚度大于目標值，調節(jié)絕緣介質的起始厚度，至絕緣介質的厚度等于目標值；若絕緣介質的厚度小于目標值，建立絕緣介質的厚度與干法刻蝕起始程序的對應關系；去墊氮化層；在進行多次去膠工序中，對比去膠工序的次數與干法刻蝕起始程序，去膠工序的次數與干法刻蝕起始程序相等時，開始進行干法刻蝕。