科友半導(dǎo)體致力于推動(dòng)大尺寸SiC單晶襯底的國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化，從晶體裝備研制、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)優(yōu)化、工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)三個(gè)方面入手，形成科友半導(dǎo)體獨(dú)家SiC長(zhǎng)晶一站式解決方案，解決國(guó)內(nèi)SiC襯底產(chǎn)業(yè)化設(shè)備、熱場(chǎng)與工藝卡脖子關(guān)鍵問(wèn)題。2024年9月份，科友半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備，通過(guò)優(yōu)化電阻爐溫場(chǎng)、引入緩沖層優(yōu)化長(zhǎng)晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布，充分發(fā)揮電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)。檢測(cè)表明，8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品總腐蝕坑密度控制在2000個(gè)cm-2左右，TSD與BPD位錯(cuò)缺陷密度得到有效降低，占同期產(chǎn)出襯底的比例在八成以上，彰顯出電阻加熱式長(zhǎng)晶爐對(duì)推動(dòng)設(shè)備和耗材國(guó)產(chǎn)替代、推動(dòng)襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力，標(biāo)志著科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)入了新的階段。

位錯(cuò)缺陷密度隨晶體厚度提高不斷下降

科友近期制備的低缺陷密度8英寸碳化硅襯底

（來(lái)源：科友半導(dǎo)體）