國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置”的專利，公開號(hào)CN 118756340 A，申請(qǐng)日期為2024年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置，生長(zhǎng)坩堝包括外坩堝組件和內(nèi)坩堝組件，所述外坩堝組件形成有密封的第一容納腔；所述內(nèi)坩堝組件形成有第二容納腔，所述內(nèi)坩堝組件設(shè)于所述第一容納腔內(nèi)，所述內(nèi)坩堝組件的頂部設(shè)有連通所述第二容納腔和所述第一容納腔的貫穿孔；所述內(nèi)坩堝組件能夠根據(jù)生長(zhǎng)階段調(diào)節(jié)其內(nèi)部氣相組分的流動(dòng)方向，以使氣相組分持續(xù)穩(wěn)定的均勻分布所述外坩堝組件內(nèi)側(cè)壁正對(duì)所述貫穿孔的側(cè)設(shè)有第一石墨紙。根據(jù)本發(fā)明的大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝，能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)其內(nèi)部氣相組分的流動(dòng)方向，以使氣相組分持續(xù)穩(wěn)定的均勻分布，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致，有效避免大尺寸晶體的凸度問(wèn)題。