天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請公布號為CN118692914A。

本發(fā)明提供一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法，包括提供襯底，襯底表面形成有外延層，在外延層上形成圖案化的硬質(zhì)掩膜層；以硬質(zhì)掩膜層為掩膜，對外延層進(jìn)行初步刻蝕，在外延層中形成淺溝槽；對淺溝槽的側(cè)壁進(jìn)行阱注入；以硬質(zhì)掩膜層為掩膜，對外延層進(jìn)行再次刻蝕，在外延層中形成目標(biāo)溝槽；在目標(biāo)溝槽中形成柵介質(zhì)層和多晶硅，并進(jìn)行阱推進(jìn)，在目標(biāo)溝槽的側(cè)壁形成阱區(qū)；對阱區(qū)進(jìn)行離子注入形成源區(qū)；淀積層間介質(zhì)層并刻蝕形成接觸孔；對接觸孔底部進(jìn)行肖特基注入形成肖特基接觸。本發(fā)明采用溝槽分布刻蝕，兩步刻蝕之間增加側(cè)壁阱注入，使阱區(qū)僅存在溝槽側(cè)壁，而不在接觸孔下方，從而在接觸孔下方能進(jìn)一步形成肖特基接觸，達(dá)到提升恢復(fù)速度的效果。