杭州鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵晶體生長技術(shù)重大突破

2024年10月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）在氧化鎵晶體生長方面實現(xiàn)新的技術(shù)突破，基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備(非銥坩堝)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生長出2英寸氧化鎵單晶，在國內(nèi)尚屬首次。

 2英寸氧化鎵單晶

關(guān)于鎵仁半導體

鎵仁半導體自2022年9月成立以來，便以其卓越的科技實力在寬禁帶半導體材料領(lǐng)域嶄露頭角。作為一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)，鎵仁半導體專注于氧化鎵襯底、外延、設(shè)備的發(fā)展，致力于推動半導體技術(shù)的革新。自成立以來，鎵仁半導體榮獲國家級科技型中小企業(yè)、浙江省創(chuàng)新型中小企業(yè)、浙江省科技型中小企業(yè)等榮譽，并成功獲得了蕭山區(qū)“5213”項目（卓越類）和杭州市蕭山區(qū)領(lǐng)軍型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目的支持，這些榮譽和項目支持彰顯了鎵仁半導體在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)應用方面的領(lǐng)先地位。