在國內外同行重點關注氧化鎵單晶材料研制的同時，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱富加鎵業(yè)）提前布局氧化鎵外延技術攻關。在國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氧化鎵半導體材料與高性能器件研究”項目支持（項目編號：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并與國家重點研發(fā)計劃項目器件團隊合作，成功制備了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件，與進口同類型外延片制備器件性能相當。

01產品規(guī)格

富加鎵業(yè)提供分子束外延技術（MBE）制備的氧化鎵外延片產品，采用非故意摻雜層與Sn摻雜層復合的雙層外延結構，襯底材料為半絕緣型（010）Fe摻雜氧化鎵，主要應用于橫向功率器件。常規(guī)產品摻雜層載流子濃度為1-4E17cm^-3，遷移率＞80 cm²/V·s，表面粗糙度＜2 nm。 

02 驗證結果

國家重點研發(fā)計劃項目合作器件團隊對該款MBE氧化鎵外延片產品進行了初步流片驗證，12 μm柵漏間距氧化鎵MOSFET器件電流密度為60 mA/mm（圖a），比導通電阻約為42 mΩ?cm²，擊穿電壓可達2242 V（圖b），與采用進口同類材料的器件性能相當。富加鎵業(yè)也將根據器件研制反饋結果，持續(xù)改進和優(yōu)化，對外延產品進行新一輪迭代，致力于為下游器件廠商提供穩(wěn)定可控的高質量氧化鎵單晶襯底及外延產品，為我國打造有國際競爭力的氧化鎵產業(yè)鏈提供材料保障，實現我國氧化鎵基器件全鏈路貫通。

圖a-b 柵漏間距LGD=12 μm，柵極長度LG=1.5 μm時，氧化鎵MOSFET的直流輸出特性曲線和擊穿曲線。

 (來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司)