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杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利,提高了器件的功率密度

日期:2024-12-19 閱讀:258
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種功率開關(guān)器件的專利,公開號 CN 119133248 A,申請日期為2

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為“一種功率開關(guān)器件”的專利,公開號 CN 119133248 A,申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示,本申請公開了一種功率開關(guān)器件,包括襯底層、外延層、柵極結(jié)構(gòu)和場板結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)為平面柵級結(jié)構(gòu)。在功率開關(guān)器件的第一表面上,平面柵極結(jié)構(gòu)位于功率開關(guān)器件的第一表面,并且在與所述第一表面平行的水平面上具有網(wǎng)眼狀結(jié)構(gòu)。本申請功率開關(guān)器件,將平面柵結(jié)構(gòu)設(shè)計為網(wǎng)眼狀結(jié)構(gòu),從而使柵極結(jié)構(gòu)分布于場板結(jié)構(gòu)間的每一個平臺,增加了器件的電流擴散區(qū),提高了器件的功率密度。

 

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