12月18日，據長飛先進官微消息，長飛先進武漢基地項目首批設備搬入儀式于光谷科學島舉辦。
據介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設并對設備進行安裝調試，預計2025年5月實現量產通線。據長飛先進官微此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。項目投產后可年產36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域。
