國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江材孜科技有限公司取得一項名為“一種碳化硅單晶生長裝置”的專利，授權(quán)公告號CN 222182546 U，申請日期為2024年3月。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種碳化硅單晶生長裝置，通過設(shè)置坩堝結(jié)構(gòu)包括開口相對設(shè)置的下坩堝和上坩堝，所述上坩堝和所述下坩堝通過側(cè)壁滑動連接；一方面，使得可以充分利用上坩堝和下坩堝之間的生長空間，進(jìn)一步提高長晶厚度而且上坩堝與下坩堝之間的組合也更有利于生長空間的穩(wěn)定性；另一方面，上坩堝和下坩堝通過側(cè)壁滑移連接，可以通過動態(tài)拉伸保持碳化硅單晶生長界面和碳化硅粉料界面的距離來控制軸向溫度梯度的動態(tài)平衡，保持在生長過程中的生長界面的穩(wěn)定，降低位錯等缺陷。