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英諾賽科上市!港股“第三代半導(dǎo)體”第一股!

日期:2024-12-30 閱讀:486
核心提示:今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導(dǎo)體第一股12月30日,英諾賽科

 今天上午9時30分

隨著鐘聲敲響

從吳江走出的

全球氮化鎵龍頭——

英諾賽科

成功登陸港交所

成為港股“第三代半導(dǎo)體”

第一股

8

12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司正式在港交所主板掛牌上市,股票代碼“02577”。

英諾賽科此次IPO每股定價(jià)30.86港元,共發(fā)行4536.4萬股股份,每手100股,所得款項(xiàng)凈額約13.02億港元。

截至發(fā)稿,上市首日現(xiàn)報(bào)31.85港元,上漲3.21%,換手率0.43%,成交量209.73萬股,成交額6669萬港元,總市值約280.01億港元。

英諾賽科董事長駱薇薇博士表示,“英諾賽科是全球功率半導(dǎo)體革命的領(lǐng)導(dǎo)者,也是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)。此次在香港交易所的上市,是公司發(fā)展歷程中的一個重要里程碑,標(biāo)志著我們將以更廣闊的視野和更堅(jiān)定的步伐,邁向全球市場。英諾賽科相信GaN可以改變世界,打造更加綠色的地球家園。作為全球氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),我們將持續(xù)專注技術(shù)創(chuàng)新,賦能全球客戶體驗(yàn)高頻、高效、綠色節(jié)能的氮化鎵產(chǎn)品。”

氮化鎵是一種具有高頻率和低導(dǎo)通電阻的寬帶隙半導(dǎo)體材料,已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)變革的核心,而且即將加速市場滲透。第三方機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)預(yù)測,2023年,氮化鎵功率半導(dǎo)體占全球功率半導(dǎo)體市場的0.5%,并預(yù)期于2028年占市場的10.1%。憑借持續(xù)創(chuàng)新及強(qiáng)大的技術(shù)專業(yè)知識,英諾賽科設(shè)計(jì)、開發(fā)及生產(chǎn)若干類型的氮化鎵產(chǎn)品,包括分立器件、集成電路、晶圓及模塊。英諾賽科的產(chǎn)品廣泛用于多種行業(yè)的電源應(yīng)用中,例如消費(fèi)電子產(chǎn)品的快速充電器和適配器、可再生能源的電池管理系統(tǒng)及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子的LiDAR系統(tǒng)及數(shù)據(jù)中心的電源裝置。

英諾賽科已采用集成器件制造商的IDM模式,藉此可自行把控由制成品設(shè)計(jì)、制造、包裝、測試到銷售的整個流程。截至2024年6月30日,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,產(chǎn)能達(dá)到每月12,500片晶圓。該能力使英諾賽科能夠以穩(wěn)定的供應(yīng)抓住不斷增長的市場機(jī)會,從而培養(yǎng)客戶的信心。與6英吋硅基氮化鎵晶圓相比,英諾賽科先進(jìn)的量產(chǎn)技術(shù)亦使每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%,單顆芯片成本降低30%,體現(xiàn)英諾賽科在氮化鎵產(chǎn)品持續(xù)創(chuàng)新及商業(yè)化方面的成本優(yōu)勢和領(lǐng)導(dǎo)地位。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料,按收入計(jì)公司于2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中收入排名第一。

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