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新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

我國(guó)科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號(hào)模型

上海交大制冷所研究團(tuán)隊(duì)在高效彩色太陽(yáng)能光伏電池板研究中取得新進(jìn)展

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

EUV光刻機(jī)在3nm的新挑戰(zhàn)

汽車(chē)功率器件的熱管理探討

武漢大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究取得多項(xiàng)進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊(duì)首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲(chǔ)單元器件

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺(jué)增強(qiáng)芯片

長(zhǎng)春理工大學(xué)王登魁團(tuán)隊(duì)在制備CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線紫外光電探測(cè)器取得研究進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所等實(shí)現(xiàn)硅基異質(zhì)集成的片上量子點(diǎn)發(fā)光

空間用紅外探測(cè)器拼接技術(shù)研究

中科院上海高研院在全相干自由電子激光研究方面取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所高效穩(wěn)定鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究獲進(jìn)展

基于微結(jié)構(gòu)納米復(fù)合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國(guó)高端市場(chǎng)

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料

中電科45所研制的雙8英寸全線自動(dòng)化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)線

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

Wolfspeed ：高功率應(yīng)用的可擴(kuò)展性設(shè)計(jì)

國(guó)家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì)首次測(cè)定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子遷移率

南航物理學(xué)院科研團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)電泵浦單模激光二極管

車(chē)用IGBT模塊健康管理技術(shù)綜述

廈門(mén)大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組實(shí)現(xiàn)WS?/HOPG 摩爾超晶格的直接合成

中科院上海微系統(tǒng)所團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)基于III-V族量子點(diǎn)確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學(xué)芯片

微電子封裝技術(shù)HIC、MCM 及 SIP的特點(diǎn)與相互關(guān)系

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