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17位報(bào)告嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見(jiàn)！

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |海威華芯林書(shū)勛：新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用

15位演講嘉賓主題公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見(jiàn)！

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |成都復(fù)錦邀您參加”2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議“

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

CSPSD 2024成都前瞻|云鎵半導(dǎo)體邀您參加“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

首批報(bào)告嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見(jiàn)！

CSPSD 2024成都前瞻|四川大學(xué)副教授黃銘敏：碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源研究院所長(zhǎng)金銳受邀將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）4月26-28日成都見(jiàn)！

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

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《2024中國(guó)激光產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告》發(fā)布：光谷企業(yè)光纖激光器市占率反超國(guó)際巨頭

摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目簽約

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