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日本加強(qiáng)出口管制！42家中國(guó)實(shí)體列入“黑名單”，涉及處理器、光刻機(jī)等領(lǐng)域

德州儀器：到 2030 年，公司預(yù)計(jì)有超 95% 晶圓通過(guò)內(nèi)部采購(gòu)

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)

蘋(píng)果攻機(jī)器人砷化鎵三雄迎大商機(jī)

年產(chǎn)100萬(wàn)只高速光通信器件和模塊項(xiàng)目正式啟動(dòng)廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專(zhuān)利公布

世界首個(gè)采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運(yùn)

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甬江實(shí)驗(yàn)室信息材料與微納器件制備平臺(tái)正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投資超5億元

行業(yè)Top級(jí)廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來(lái)探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

武漢敏聲高端射頻濾波器生產(chǎn)線項(xiàng)目封頂

廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專(zhuān)利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專(zhuān)利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專(zhuān)利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專(zhuān)利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

CSA半導(dǎo)體激光器專(zhuān)業(yè)委員會(huì)正式成立，并成功召開(kāi)第一屆一次會(huì)議

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