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國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈短板補(bǔ)齊成效：技術(shù)突破與龍頭企業(yè)并現(xiàn)

比爾蓋茨反對(duì)美國(guó)列清單！國(guó)產(chǎn)芯片突破“卡脖子”的三個(gè)階段，誰(shuí)將趁勢(shì)崛起？

國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)再突破后，能實(shí)現(xiàn)7nm芯片量產(chǎn)？

北大/清華聯(lián)合牽頭，北京建成24個(gè)高校高精尖中心突破“卡脖子”

國(guó)產(chǎn)車規(guī)MCU嶄露頭角，本土廠商如何向中高端領(lǐng)域突破？

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

SIA：2022年全球半導(dǎo)體出貨量有望突破歷史最高記錄

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無(wú)缺陷最大直徑超過(guò)204毫米

中國(guó)電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

TCL華星、小米科技聯(lián)合研發(fā)，國(guó)產(chǎn)2K柔性屏在漢取得歷史新突破

重大突破 | 國(guó)內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

國(guó)際領(lǐng)先水平！突破SiC晶體長(zhǎng)厚的關(guān)鍵材料

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

首次提出并主導(dǎo)！我國(guó)在半導(dǎo)體國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定方面再獲突破

奧特維：科芯IGBT鍵合機(jī)獲龍頭客戶批量訂單是在車規(guī)級(jí)IGBT封裝領(lǐng)域重大業(yè)務(wù)突破

Yole：2027年激光晶圓設(shè)備和技術(shù)市場(chǎng)將突破11億美元

Manz亞智科技板級(jí)封裝突破業(yè)界最大生產(chǎn)面積完美應(yīng)對(duì)產(chǎn)能、成本雙挑戰(zhàn)

新突破！四維圖新智芯車規(guī)級(jí)MCU芯片AC7802x一次性成功點(diǎn)亮

芯片制程突破驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體材料需求升級(jí)

半導(dǎo)體公司氮矽科技完成A輪融資力爭(zhēng)2024年實(shí)現(xiàn)汽車應(yīng)用領(lǐng)域突破

首次突破萬(wàn)億！近10年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率19%

聚焦建圈強(qiáng)鏈成都高新區(qū)力爭(zhēng)到2025年集成電路產(chǎn)值突破2000億元

突破SiC生長(zhǎng)關(guān)鍵核心材料解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴

簽單累計(jì)突破12臺(tái)！高測(cè)股份碳化硅金剛線切片專機(jī)交出新的簽單

華清電子材料實(shí)現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤(pán)的突破

吳玲：有效整合資源、突破核心技術(shù)，“搶跑”第三代半導(dǎo)體

河南發(fā)布《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見(jiàn)》，2025年集成電路產(chǎn)業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入突破100億元

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國(guó)際差距在2~3年之內(nèi)！

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