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總投資220億元，華潤微深圳12英寸項目通線投產

工信部：到2027年建設1萬個5G工廠，“5G+工業(yè)互聯(lián)網”廣泛融入重點領域

功率半導體中低壓產品價格調漲，大廠產能滿載或將延續(xù)

你好，2025！——致最可愛的你！

突發(fā)，聞泰科技要出售9家公司股權！

北京順義發(fā)布汽車產業(yè)投資基金，總規(guī)模20億元

計劃總投資310億元，浙江星柯光電項目一期點火二期簽約

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現2400V增強型晶體管

總投資20億元，新能源電力電子半導體產業(yè)園項目簽約

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深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現象和一致性不佳的技術問題

河北同光半導體申請具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜專利，實現碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

無錫錕芯半導體取得一種IGBT的驅動裝置專利，實現IGBT本體的快速裝拆

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質量

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質層擊穿風險

宇電精密溫控獲評國家級專精特新“小巨人”，品牌空間亮相廈門地鐵

星曜半導體晶圓產線投產，總投資 7.5 億元

吉盛微完成A輪數億元，深創(chuàng)投、中芯聚源等投資

8個半導體項目，總投資超100億元！溫州首家晶圓廠投產！

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從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項目成功通線

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導體5G射頻濾波器芯片晶圓產線項目投產

總投資10億元，民翔半導體存儲項目一期投產！

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內部應力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

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