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湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

北京量子院徐洪起團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)器件研究中取得進(jìn)展

歐盟擬斥資 1.33 億歐元在荷蘭建設(shè)光子集成電路中試線

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

點(diǎn)莘技術(shù)完成新一輪融資

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秋水半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元天使+輪投資全球首創(chuàng)無損Micro-LED芯片

日本華為高級(jí)首席專家濱田公守將出席2024國際第三代半導(dǎo)體論壇并做大會(huì)報(bào)告 |IFWS 2024前瞻

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大族半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

北方華創(chuàng)邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

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芯三代半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

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北方華創(chuàng)“工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室”專利公布

芯?？萍级趶S房擴(kuò)建項(xiàng)目正式啟動(dòng)

燦光光電總部研發(fā)生產(chǎn)基地二期沖刺建成

中昊芯英斬獲2024年第十九屆“中國芯”最高獎(jiǎng)“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”

總投資35.8億元！第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上集中簽約14個(gè)項(xiàng)目

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成教授將出席第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇并做大會(huì)報(bào)告| IFWS 2024前瞻

華潤微總裁李虹將出席第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇并做大會(huì)報(bào)告| IFWS 2024前瞻

【SSLCHINA2024】智慧照明設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新峰會(huì)日程出爐

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

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