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許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜深紫外光刻新技術(shù)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

8英寸碳化硅垂直腔外延設(shè)備為什么這么熱？

安森美將斥資20億美元在捷克建設(shè)垂直集成碳化硅工廠

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標(biāo)

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資

IFWS 2023│三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)葉念慈：產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

南通如東縣首家半導(dǎo)體垂直整合型公司即將投產(chǎn)

南通如東首家半導(dǎo)體垂直整合型公司即將投產(chǎn)

杰平方半導(dǎo)體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅SiC先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

香港科技園公司與杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄啟動(dòng)香港首間碳化硅SiC先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

華微電子將推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，以八英寸項(xiàng)目為核心向上下游拓展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器取得進(jìn)展

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)選擇性生長(zhǎng)方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗(yàn)證

歌爾股份：公司可提供VR/AR垂直整合產(chǎn)品解決方案及相關(guān)研發(fā)制造服務(wù)

高溫工作垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器現(xiàn)狀與未來(lái)

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