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許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

盛合晶微半導體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

8英寸碳化硅垂直腔外延設備為什么這么熱？

安森美將斥資20億美元在捷克建設垂直集成碳化硅工廠

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競爭優(yōu)勢

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學游淑珍：面向1200V功率應用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

IFWS 2023│華南師范大學尹以安：具復合柵極和階梯結(jié)構的新型GaN垂直晶體管研究

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導體獲數(shù)千萬元天使輪融資

IFWS 2023│三安半導體技術總監(jiān)葉念慈：產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能

日本開發(fā)新技術，可實現(xiàn)GaN垂直導電

南通如東縣首家半導體垂直整合型公司即將投產(chǎn)

南通如東首家半導體垂直整合型公司即將投產(chǎn)

杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅SiC先進垂直整合晶圓廠項目

香港科技園公司與杰平方半導體簽署合作備忘錄啟動香港首間碳化硅SiC先進垂直整合晶圓廠項目

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

華微電子將推進產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，以八英寸項目為核心向上下游拓展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學特性研究方面取得重要進展

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管

基于垂直架構的新型二維半導體/鐵電多值存儲器取得進展

哈爾濱工業(yè)大學科研團隊通過選擇性生長方法制備了準垂直金剛石肖特基二極管

二維半導體環(huán)柵晶體管和垂直互補晶體管的陣列驗證

歌爾股份：公司可提供VR/AR垂直整合產(chǎn)品解決方案及相關研發(fā)制造服務

高溫工作垂直腔面發(fā)射半導體激光器現(xiàn)狀與未來

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