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CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大學(xué)葉懷宇：碳化硅先進(jìn)封裝及全銅化技術(shù)

27位演講嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)張金平：IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來發(fā)展趨勢(shì)

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)章文通：硅基超結(jié)-功率半導(dǎo)體More silicon發(fā)展的主力器件

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)嚴(yán)穎怡：在功率變換器中電流檢測(cè)的挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

17位報(bào)告嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見！

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CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平：碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移

CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大學(xué)化夢(mèng)媛：Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究

CSPSD 2024成都前瞻 |成都復(fù)錦邀您參加”2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議“

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

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CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

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CSPSD 2024成都前瞻|四川大學(xué)副教授黃銘敏：碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)

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