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成都士蘭半導體申請半導體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

成都：擬對109個集成電路項目進行支持

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成都16.6億元集成電路裝備項目年底前完工

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學徐躍杭:金剛石半導體器件可靠性新機制

CSPSD 2024成都前瞻|芯粵能半導體相奇:大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學王曦：光控型SiC功率器件的理論與實驗研究

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學巫江：基于化合物半導體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設計與制備

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學王來利：碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

CSPSD2024專家學者名企云集，33位演講嘉賓聚焦前沿，4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅(qū)動電路研究

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