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簡述氮化鎵的合成制備及展望

IFWS 前瞻：氮化鎵功率電子器件分會日程出爐

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

簡述氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺達(dá)電子篇

港府：發(fā)展半導(dǎo)體芯片并非走他人老路，第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號探測

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元C輪融資

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù)，擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”揭牌成立

世界先進(jìn)宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進(jìn)入量產(chǎn)

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

上海出臺措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

宏光半導(dǎo)體與協(xié)鑫集團(tuán)擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作

氮化鎵功率芯片廠商納微半導(dǎo)體收購SiC公司GeneSiC 加速在電動汽車等領(lǐng)域擴(kuò)張

英諾賽科：建立氮化鎵生態(tài)的時機(jī)已經(jīng)到來

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