亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<var id="11616"><rt id="11616"></rt></var>

<blockquote id="11616"><form id="11616"></form></blockquote>

<blockquote id="11616"><samp id="11616"></samp></blockquote>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

西安電子科技大學(xué)許晟瑞：襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

西安電子科技大學(xué)許晟瑞：襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

中鎵半導(dǎo)體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進展

萊特葳芯半導(dǎo)體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術(shù)研究進展

上海微系統(tǒng)所成功實現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

華潤微：2023年IGBT產(chǎn)品營收目標(biāo)是10億元，碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品營收力爭上億

納微聯(lián)手重力星球發(fā)布全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器

預(yù)計：到2028年全球氮化鎵射頻器件市場價值將達到27億美元

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進展

北京大學(xué)許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導(dǎo)體和射頻電子研究進展

安世半導(dǎo)體副總裁 Carlos Castro：氮化鎵功率電子器件和典型應(yīng)用

英飛凌牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃預(yù)算6000萬歐元發(fā)力氮化鎵功率器件

新微半導(dǎo)體40V增強型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)

南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進展探討

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

半導(dǎo)體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

Yole ：2027 年氮化鎵功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模將增至 20 億美元

颶芯科技氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線柳州正式投產(chǎn)

國內(nèi)首條！颶芯科技氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線正式投產(chǎn)

新品發(fā)布丨能訊半導(dǎo)體微波能2.4-2.5GHz 600W氮化鎵射頻功率放大器

實現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目設(shè)計采購施工總承包公告

第5頁/共15頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<blockquote id="66661"><form id="66661"></form></blockquote>