亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

重慶芯聯(lián)微電子申請掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

蘇州高視半導(dǎo)體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利，降低晶圓缺陷的檢測成本

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

博視像元獲1.3億元A輪融資，產(chǎn)品應(yīng)用于晶圓缺陷檢測等領(lǐng)域

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)徐現(xiàn)剛：低缺陷碳化硅單晶進(jìn)展及展望

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |創(chuàng)銳光譜金盛燁：瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

御微半導(dǎo)體首臺(tái)掩?；?span id="angyghl" class="highlight">缺陷檢測產(chǎn)品交付國內(nèi)先進(jìn)掩模廠

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

高視半導(dǎo)體納米級(jí)圖形晶圓缺陷檢測量產(chǎn)設(shè)備出口馬來西亞頭部客戶

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

IFWS 2023│清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

南開團(tuán)隊(duì)在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進(jìn)展

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

華工科技2022年?duì)I收凈利雙增 SiC襯底外觀缺陷檢測設(shè)備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代應(yīng)用

中國科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無缺陷最大直徑超過204毫米

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

晶圓切割常見缺陷問題分析

半導(dǎo)體材料的點(diǎn)空位缺陷工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

北大朱瑞團(tuán)隊(duì)與于海峰團(tuán)隊(duì)合作ACS Energy Letters：鈣鈦礦半導(dǎo)體的多種缺陷管理實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定光伏器件

英諾激光：目前公司產(chǎn)品在芯片制造領(lǐng)域的應(yīng)用為晶圓加工缺陷檢測、碳化硅退火等制造工序

《自然》子刊：分子橋解決半導(dǎo)體缺陷，提高導(dǎo)電性及整體性能

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<font id="wkarv"><td id="wkarv"></td></font>