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豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關(guān)魯棒性測試方法1項團體標準

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目開工

標準 | 2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案

全球SiC和GaN功率半導體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項目已投產(chǎn)

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標公告二次

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

聞泰科技：已實現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費級量產(chǎn)

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標公告

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

GaN芯片龍頭「英諾賽科」，遞交IPO招股書，擬香港上市，中金、招銀聯(lián)席保薦

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風潮

科技成果推介｜增強型GaN電力電子器件

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導體資產(chǎn)

國博電子：公司GaN射頻模塊主要應(yīng)用于4G、5G基站設(shè)備中，積極布局6G移動通信應(yīng)用

技術(shù)進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

能華半導體張家港制造中心（二期）項目動工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龍：ICT?場景下中低壓?(<200V) GaN?器件應(yīng)用挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強型GaN功率器件設(shè)計與仿真技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術(shù)

國家重點研發(fā)計劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項目啟動

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

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