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CASA標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET閾值電壓測試方法征求意見

聞泰科技、重慶大學(xué)聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動態(tài)測試標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)

東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報(bào)告》

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

通過鑒定，中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET國際先進(jìn)

昕感科技1200V SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

簡述MOSFET與IGBT的區(qū)別

瞻芯電子推出2款TOLL封裝650V SiC MOSFET新產(chǎn)品

中國電子科技集團(tuán)首席專家柏松：SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

捷捷微電車規(guī)級SGT MOSFETs產(chǎn)品，部分已在新能源車上實(shí)現(xiàn)車用

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）推出五款新一代SiC MOSFET 功率模組

澄天偉業(yè)：今年已完成安全芯片和MOSFET等功率半導(dǎo)體方面的研發(fā)

新潔能：預(yù)計(jì)明年Q2實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET產(chǎn)品銷售

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車

簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時間

簡述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計(jì)

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報(bào)告》征求意見

MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報(bào)告》征求意見

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

國星光電研究院推出新能源領(lǐng)域用KS系列SiC MOSFET

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

問卷 | SiC MOSFET開關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研問卷

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

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