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一代材料，一代器件，一代裝備，一代應(yīng)用。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的不斷進(jìn)步與產(chǎn)

極智享法專欄特聘請(qǐng)北京恒都律師事務(wù)所為長(zhǎng)期法律知識(shí)普及及法律援助單位，致力于為從事半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的公司及業(yè)者提供法律服務(wù)。北

作為MOCVD技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺(tái)，自1989年第一屆會(huì)議舉辦以來，全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議已經(jīng)成功舉辦了十五屆，會(huì)