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美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)

美國倫斯勒理工學(xué)院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

矩陣轉(zhuǎn)換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確

中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

一直以來，高功率密度電動汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。

與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了

電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進展。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種

南京大學(xué)教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測器及其應(yīng)用進展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設(shè)計和制造方面的最新工作。

視頻簡介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因為其化學(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型

加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計和TCAD模擬》研究報告。早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報告。敖金平博士1989年畢

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市