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以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分

主題對(duì)話(huà)環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長(zhǎng)聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢(qián)，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長(zhǎng)楊樹(shù)，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干

n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延焦騰，陳威，李政達(dá)，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學(xué)

基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)

氧空位在異質(zhì)外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測(cè)器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應(yīng)磊瑩，張保平*，龍浩*廈門(mén)大學(xué)

GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國(guó)斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司