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《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國科學(xué)院大學(xué)

本期嘉賓中國科學(xué)院生態(tài)環(huán)境研究中心副研究員李夢凱博士為大家分享《紫外反應(yīng)器設(shè)計要點簡述 紫外線消毒手冊（9章）》

《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。

廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術(shù)。

美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)

特阿卜杜拉國王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計升級反應(yīng)器。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

顯示技術(shù)的發(fā)展多種路線，倒裝芯片廣東德豪潤達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部研發(fā)部部長劉宇軒倒裝芯片應(yīng)用于新世代液晶顯示器