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所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過(guò)程，尤其對(duì)于電網(wǎng)來(lái)說(shuō)，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求，材料部分的需求和裝備的國(guó)內(nèi)國(guó)際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來(lái)說(shuō)對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報(bào)告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長(zhǎng)率SiC同質(zhì)外延工藝生長(zhǎng)的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時(shí)二十五微米，更好地，更快速地長(zhǎng)外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來(lái)說(shuō)是一個(gè)好事，那么同時(shí)它這個(gè)結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來(lái)。預(yù)計(jì)2018年這種全面的自動(dòng)化技術(shù)的使用，會(huì)使得我們整個(gè)產(chǎn)業(yè)會(huì)有大量的一個(gè)客戶(hù)量的增長(zhǎng)。

南京電子器件研究所黃潤(rùn)華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來(lái)的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來(lái)就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開(kāi)發(fā)三千三百伏到一萬(wàn)伏，爭(zhēng)取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“泰科天潤(rùn)”）是中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專(zhuān)業(yè)服務(wù)。 作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)目前在北京已建成國(guó)內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

伍爾特電子及其美國(guó)子公司伍爾特電子明康有限公司 (Wurth Electronics Midcom) 參加穆尼黑上海電子展。伍爾特電子作為電子和機(jī)電元件的制造商將展示其豐富的傳統(tǒng)產(chǎn)品，以及一些新發(fā)布的產(chǎn)品。這其中包括新穎的 SMD 磁珠和兩款創(chuàng)新型插塞式連接器。展覽項(xiàng)目的另一個(gè)焦點(diǎn)是日趨豐富的鋁電解電容產(chǎn)品組合。此外，伍爾特電子明康有限公司將提供其定制電感元件系列的相關(guān)信息，并且提供德州儀器 SN6501 和 SN6505B 的參考設(shè)計(jì)。作為展示的亮點(diǎn)，虛擬現(xiàn)實(shí)演示將為工程師們展現(xiàn)如何通過(guò)使用 IC Re

韓國(guó)嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術(shù)報(bào)告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應(yīng)用領(lǐng)域的各種需求，如汽車(chē)照明，手術(shù)照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來(lái)越大，可靠性問(wèn)題越來(lái)越重要。 他分享了最近的可靠性問(wèn)題，并考慮到可以解決可靠性問(wèn)題的可行方法。為此，我們從遺傳個(gè)體和外部誘導(dǎo)的退化因素、復(fù)雜因素和觸發(fā)因子等方面進(jìn)行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來(lái)“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示，功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類(lèi)型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì)，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來(lái)了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”研究報(bào)告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì)，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...