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  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分
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    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對(duì)話：MOCVD外延
    主題對(duì)話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長(zhǎng)聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢(qián)，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長(zhǎng)楊樹(shù)，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
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    guansheng2022-09-08 15:55
  • 吉林大學(xué)焦騰：n型Ga2
    n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延焦騰，陳威，李政達(dá)，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:21
  • 中山大學(xué)王鋼：基于金
    基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:13
  • 廈門(mén)大學(xué)龍浩：氧空位
    氧空位在異質(zhì)外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測(cè)器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應(yīng)磊瑩，張保平*，龍浩*廈門(mén)大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:08
  • 江蘇第三代半導(dǎo)體研究
    GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國(guó)斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
    55000
    guansheng2022-09-01 11:36
  • 愛(ài)思強(qiáng)方子文：促進(jìn)寬
    促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
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    limit2022-05-01 17:25
  • 沈波：高質(zhì)量 AlN 單
    《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學(xué)
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    limit2022-01-11 17:23
  • 俞冬雷：高效P型摻雜
    《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強(qiáng)強(qiáng)，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
    10100
    limit2022-01-10 10:57
  • 陳凱：基于MPCVD法異
    《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門(mén)大學(xué)
    21700
    limit2022-01-07 14:59
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21300
    limit2022-01-07 11:15
  • 何云斌：ZnO多元合金
    《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
    17500
    limit2022-01-07 10:19
  • 張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
    《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國(guó)，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    7800
    limit2022-01-06 11:39
  • 李?lèi)偽模簛喎€(wěn)相正交結(jié)
    《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李?lèi)偽?，修向前，許萬(wàn)里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    22000
    limit2022-01-06 11:09
  • 吳亮：PVT法同質(zhì)外延
    《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
    22700
    limit2022-01-06 11:02
  • 余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
    《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17400
    limit2022-01-06 10:56
  • 劉志強(qiáng)：氮化物“異構(gòu)
    《氮化物異構(gòu)外延》作者：劉志強(qiáng)，高鵬，伊?xí)匝?，閆建昌，魏同波，王軍喜，劉忠范，李晉閩單位：中科院半導(dǎo)體所，北京大學(xué)，北京石墨烯研究院
    19800
    limit2022-01-06 10:50
  • 王新強(qiáng)：二維材料上氮
    《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營(yíng)，劉開(kāi)輝，李新征，沈波，王新強(qiáng)單位：北京大學(xué)
    26800
    limit2022-01-06 10:48
  • 張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
    《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長(zhǎng)與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
    3200
    limit2022-01-06 10:26
  • 寧?kù)o：范德華外延氮化
    《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧?kù)o，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    24900
    limit2022-01-06 10:19
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