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《寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)嫁接及其器件應(yīng)用》作者：劉洋，汪萊，郝智彪，羅毅單位：清華大學(xué)電子工程系

《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院

《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所，中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心

《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測(cè)器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

《寬禁帶半導(dǎo)體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術(shù)有限公司

《寬禁帶半導(dǎo)體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學(xué)材料學(xué)院

《寬禁帶III族氮化物中點(diǎn)缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械

《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅的發(fā)展動(dòng)態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對(duì)于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場(chǎng)潛力非常大，對(duì)于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對(duì)于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)

一直以來，高功率密度電動(dòng)汽車電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新一代大功率電動(dòng)汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對(duì)新一代電動(dòng)汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報(bào)告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。

南京大學(xué)教授陸海報(bào)告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器及其應(yīng)用進(jìn)展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測(cè)器的材料生長(zhǎng)，設(shè)計(jì)和制造方面的最新工作。

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖的精彩報(bào)告，介紹了寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技

加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬》研究報(bào)告。早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授、IEEE電力電子協(xié)會(huì)主席Braham FERREIRA在“未來寬禁帶電力電子技術(shù)的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，開幕式上曹部長(zhǎng)說到2030年巨大的戰(zhàn)略和規(guī)劃，同時(shí)我們有非常卓越的一些技術(shù)性的演講，但這些演講都是關(guān)于技術(shù)方面的，我們能做什么？如