91欧美精品午夜免费福利院,天天插天天透天天爽

首頁 > 視頻 > 搜索

復旦大學特聘教授張清
6650
復旦大學特聘教授張清
SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
66500
limit2022-05-01 09:48
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
5320
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛教授山東大學
53200
limit2022-01-11 17:24
郝躍：寬禁帶與超寬
4080
郝躍：寬禁帶與超寬
寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展郝躍院士西安電子科技大學
40800
limit2022-01-10 13:08
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
1230
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進展》作者：梅洋，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學電子科學與技術(shù)學院
12300
limit2022-01-10 10:40
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進展》作者：陳鵬單位：南京大學電子科學與工程學院
31300
limit2022-01-07 13:31
吳帆正樹：碳化硅溝槽
1240
吳帆正樹：碳化硅溝槽
《碳化硅溝槽刻蝕技術(shù)研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍，張園覽單位：復旦大學工程與應用技術(shù)研究院超越照明研究所
12400
limit2022-01-07 13:30
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
1170
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術(shù)大學微電子學院
11700
limit2022-01-07 08:55
閆建昌：AlGaN基紫外L
3330
閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
33300
limit2022-01-06 11:41
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
1750
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學微電子與集成電路系微納光電子研究室
17500
limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
630
孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術(shù)大學
6300
limit2022-01-06 10:30
朱廣潤：微波毫米波器
2330
朱廣潤：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
23300
limit2022-01-05 16:51
劉建平：大功率氮化鎵
3930
劉建平：大功率氮化鎵
《大功率氮化鎵激光器研究進展》作者：劉建平單位：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
39300
limit2022-01-05 15:57
孫錢：硅襯底GaN基激
3810
孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
38100
limit2022-01-05 15:36
趙德剛：GaN材料碳雜
1840
趙德剛：GaN材料碳雜
《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進展》作者：趙德剛單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
18400
limit2022-01-05 15:33
龔政：氮化鎵基Micro-
3770
龔政：氮化鎵基Micro-
《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進展》作者：龔政單位：廣東省科學院半導體研究所
37700
limit2022-01-05 13:22
【視頻報告 2018】P.S
24640
【視頻報告 2018】P.S
高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。
246400
limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】南
20
【視頻報告 2018】南
黃光的突破拉開了沒有熒光粉LED照明技術(shù)的序幕產(chǎn)業(yè)的序幕，無熒光粉固態(tài)照明技術(shù)為半導體照明產(chǎn)業(yè)注入新的活力，有望在智能照明
200
limit2021-04-29 12:18
【視頻報告 2018】港
9010
【視頻報告 2018】港
集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
90100
limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】電
9770
【視頻報告 2018】電
電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進展。
97700
limit2021-04-29 12:04
【視頻報告 2019】奧
8600
【視頻報告 2019】奧
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)》。
86000
limit2021-04-29 11:04

亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

相關(guān)搜索