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  • 升譜光電副總經(jīng)理林勝
    GaAs VCSEL 先進封裝技術(shù)進展及應(yīng)用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林勝寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.
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    guansheng2023-05-22 10:10
  • 中國科學(xué)院蘇州納米所
    氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-22 10:07
  • 思體爾軟件技術(shù)支持工
    Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真設(shè)計及操作關(guān)鍵技術(shù)進展茅艷琳蘇州思體爾軟件科技有限公司技術(shù)支持工程師Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.
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    guansheng2023-05-19 15:16
  • 香港科技大學(xué)副教授黃
    橫向和縱向-Ga2O3功率MOSFET的十年進展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黃文海香港科技大學(xué)副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
    87200
    guansheng2023-05-19 14:45
  • 中國電科首席科學(xué)家馮
    金剛石微波功率器件進展Progress in Diamond Microwave Power Devices馮志紅中國電科首席科學(xué)家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務(wù)副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute
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    guansheng2023-05-19 14:37
  • 南昌大學(xué)教授王光緒：
    硅基LED照明技術(shù)進展及應(yīng)用王光緒南昌大學(xué)教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University
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    guansheng2023-05-19 13:49
  • 北控水務(wù)集團技術(shù)管理
    污水處理廠深紫外消毒設(shè)計及應(yīng)用進展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜軍北控水務(wù)集團技術(shù)管理部水務(wù)經(jīng)理Jon DUBeijing enterprise water group Limited
    83500
    guansheng2023-05-19 12:03
  • 天馬微電子秦鋒：Micr
    Micro-LED 顯示產(chǎn)業(yè)化進展與挑戰(zhàn)秦鋒天馬微電子集團研發(fā)中心總經(jīng)理、Micro-LED研究院院長QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
    211900
    guansheng2023-05-19 09:53
  • 中國電子科技集團首席
    SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進展柏松中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
    214800
    guansheng2023-05-19 09:39
  • 錦浪科技技術(shù)研究中心
    SiC功率器件在光伏逆變器中的應(yīng)用進展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術(shù)研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    129800
    guansheng2023-05-19 09:07
  • 廈門大學(xué)張榮 教授:氮
    第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團隊在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究
    202500
    guansheng2022-09-10 15:43
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報告；廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進展；大會主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技
    291100
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中國科學(xué)院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
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    guansheng2022-09-09 15:53
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    218100
    guansheng2022-09-09 15:50
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
    180700
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 中科院蘇州納米所孫錢
    硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    55200
    guansheng2022-09-01 13:42
  • 南京大學(xué)陳鵬：GaN基
    GaN基肖特基功率器件研究新進展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    54400
    guansheng2022-09-01 12:38
  • 清華大學(xué)汪萊：GaN基
    GaN基高速藍綠光Micro-LED研究進展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學(xué)
    56900
    guansheng2022-09-01 11:30
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    74300
    limit2022-05-01 17:19
  • 中電科四十八所半導(dǎo)體
    SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    66400
    limit2022-05-01 09:57
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