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2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機理。

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

特阿卜杜拉國王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計升級反應(yīng)器。

【極智報告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。

電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進展。

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

廈門大學(xué)高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學(xué) Mussaab I. NIASSZhengzhou University

隨著半導(dǎo)體照明的發(fā)展，尤其是室內(nèi)照明的推進，人們對其效率和顯色指數(shù)（Color rendering index, CRI）等品質(zhì)參數(shù)等提出了更高的要求。中南大學(xué)教授汪煉成做了題為設(shè)計制造復(fù)合金屬等離激元同時提高GaN LED效率和顯色指數(shù)研究的主題報告。汪煉成科研方向為集成寬禁帶半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)，在GaN LED 方面有近10年科研經(jīng)歷，近5年以第一/通訊作者發(fā)表SCI論文40余篇，引用次數(shù)744次，申請專利38項，已授權(quán)13項，成功制備性能國內(nèi)領(lǐng)先、

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計算機工

基于MOVPE技術(shù)生長GaN表面的原位相干X射線研究 In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN鞠光旭美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授 GuangxuJUAssistant Research Professor of Arizona State University, USA