在2月13日，小米公司CEO雷軍在介紹完小米10之后，頓了頓，宣布了一個(gè)新的充電頭。
這個(gè)充電頭支持小米65W快充，但比標(biāo)配充電頭小了一倍，并且發(fā)熱更低。
這，就是氮化鎵（GaN）充電頭，未來旗艦的標(biāo)配。
何為氮化鎵
在科普氮化鎵之前，我們先要去了解一下關(guān)于電流的普通知識(shí)。
眾所周知，隨著手機(jī)屏幕的增大和處理器性能的增加，對(duì)手機(jī)本身的電量儲(chǔ)備和充電時(shí)間也提出了高要求。如何“又快又好”成為了手機(jī)續(xù)航的重要問題。
有需求就要有研發(fā)，在過去的幾年內(nèi)，高通、華為、OPPO等廠家分別推出了自己的充電協(xié)議，并且不斷迭代。
就連一貫“五福一安”的蘋果，也在iPhone 8上支持了PD快充協(xié)議，充電速度的問題，暫時(shí)得到了解決。
那么第二個(gè)問題就隨之而來了：充電設(shè)備的體積。
顧名思義，如果充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好。如果一個(gè)充電器不做好安全協(xié)議就貿(mào)然縮小體積，就會(huì)有火災(zāi)等隱患。
而更深層的原因，則是充電器的結(jié)構(gòu)。
手機(jī)充電器功率還沒有那么高的時(shí)候，由于結(jié)構(gòu)簡單，采用的普遍是反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而這其中，最重要的，就是FET的開關(guān)頻率。
FET（場效應(yīng)晶體管），就是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。
我們常常聽說的FinFET工藝就是FET中的一種，它將傳統(tǒng)晶體管的平面狀態(tài)變成了魚鰭狀（Fin），大大提高載流子的遷移效率。
言歸正傳，對(duì)于普通的充電器而言，用上百kHz的開關(guān)頻率切換FET的開關(guān)狀態(tài)就已經(jīng)足夠。而且開關(guān)頻率越高，體積就會(huì)越小。
但問題在于，盲目提高開關(guān)頻率，很容易導(dǎo)致電源變熱，發(fā)生危險(xiǎn)。
而人們?yōu)榱私鉀Q這個(gè)問題，采取了很多辦法：增加漏感能量的電容、實(shí)現(xiàn)零電壓開啟FET（ZVS技術(shù)）。
而氮化鎵，就是在這個(gè)時(shí)候出場。
傳統(tǒng)的FET都是基于硅制造的，但相比硅材料，氮化鎵（GaN）是一種極穩(wěn)定的化合物，它的堅(jiān)硬性好，熔點(diǎn)高，電離度高。
而如果我們能用氮化鎵材質(zhì)的FET去取代硅材料，那么氮化鎵電離性好、熔點(diǎn)高的優(yōu)勢(shì)，可以讓開關(guān)頻率變得更高，將體積縮小一半左右。
總結(jié)來看，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅材料，有三個(gè)顯而易見的優(yōu)勢(shì)：
?。?）禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；
（2）較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利于提升器件整體的能效；
（3）電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。
2014年，日本名古屋大學(xué)教授赤崎勇、天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得諾貝爾物理獎(jiǎng)。其中氮化鎵正是推動(dòng)了藍(lán)光LED向前發(fā)展的重要新型材料，足以說明學(xué)界對(duì)氮化鎵的認(rèn)識(shí)。
氮化鎵的前景
實(shí)際上，早在三十年前，氮化鎵就已經(jīng)在LED上進(jìn)行了普遍應(yīng)用。直到近年來，才逐漸引入到手機(jī)上。
作為“第三代半導(dǎo)體材料”，氮化鎵在光電子、高溫大功率器件上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。F22上的相控陣?yán)走_(dá)中就大量應(yīng)用了氮化鎵的射頻器件。
今年可以說是氮化鎵的爆發(fā)之年，小米10率先推出了低價(jià)版的氮化鎵充電器。而根據(jù)可靠線報(bào)確認(rèn)，也會(huì)在P40隨機(jī)附贈(zèng)氮化鎵充電器。
但在手機(jī)領(lǐng)域，氮化鎵之所以越來越出名，絕不僅僅是因?yàn)榭斐?，而?G時(shí)代的到來。
眾所周知，5G屬于高頻率的通訊場景，5G方案的頻段相對(duì)于目前主流的4G頻段更高。而美國力推的“毫米波”其頻率則要更進(jìn)一步。對(duì)于這種高頻需求，傳統(tǒng)的硅質(zhì)似乎已經(jīng)捉襟見肘。
隨著今年5G手機(jī)的大規(guī)模推出、以及各國5G基站的鋪設(shè)，和現(xiàn)有的硅和砷化鎵的解決方案比起來。氮化鎵則能提供更好的功率以及能耗比，也更能適用于5G宏基站。
不僅如此，5G所需要的多重載波聚合，以及基站的功率放大器，氮化鎵都可以占據(jù)一席之地，通吃5G的上下游產(chǎn)業(yè)鏈。
根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測(cè)，到2023年，氮化鎵射頻器件的市場規(guī)模將增長至13億美元，最主要的增量也是來自于基站的應(yīng)用。
而除了移動(dòng)通訊領(lǐng)域，氮化鎵可以做的還有很多。
譬如目前火熱的物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器人領(lǐng)域，節(jié)能、小型化、大功率必然是這一類產(chǎn)品發(fā)展的主旋律，而氮化鎵可以完美符合它們的需求。
而在新能源方面也不可小覷，汽車、智能電網(wǎng)、太陽能發(fā)電、風(fēng)電領(lǐng)域的控制器等需要高壓測(cè)試的環(huán)節(jié)，都缺少不了它的身影。
氮化鎵之于我們
而對(duì)于中國廠商而言，氮化鎵也是一個(gè)“彎道超車”的機(jī)遇。
由于眾所周知的原因，在第一代半導(dǎo)體的“硅”（主要解決數(shù)據(jù)運(yùn)算、存儲(chǔ)）、二代半導(dǎo)體的“砷化鎵”（光纖通訊），全世界研發(fā)起點(diǎn)都比較早，但我國沒有享受到研發(fā)紅利。
在2016年科技部的“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)，其中就明確要求：實(shí)現(xiàn)以自主可控的氮化鎵基射頻器件和電路成套技術(shù)，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展。
如小雷所說，氮化鎵在二十年前就已經(jīng)用于LED業(yè)界，而LED領(lǐng)域正是我國的強(qiáng)項(xiàng)，雖然LED和射頻器件領(lǐng)域并不太重合，但我國還是具備了一定的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
而在先發(fā)優(yōu)勢(shì)之下，我國取得了不錯(cuò)的成績：2010年可自行研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶片、成本相比國際同行低廉很多。技術(shù)代差也從一代半導(dǎo)體的十年縮小到了三年。
并且，我國正在針對(duì)氮化鎵的上下游進(jìn)行全方位的攻關(guān)：上層的基底材料（如納維科技）、中層的器件模組（如英諾賽科）、以及下層的系統(tǒng)和應(yīng)用。近年來，隨著氮化鎵市場的擴(kuò)大，各個(gè)環(huán)節(jié)都出現(xiàn)了大量的國內(nèi)廠商。
當(dāng)然，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化絕非一朝一夕之功，5G的生態(tài)建設(shè)也注定會(huì)有挫折困難。但小雷相信在未來，我們聽到“國產(chǎn)氮化鎵”這個(gè)名字的機(jī)會(huì)將會(huì)越來越多。
