開發(fā)和制造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的先驅(qū)Transphorm Inc.(OTCQB: TGAN) 宣布，該公司的第二款900 V GaN場效應(yīng)晶體管(FET)現(xiàn)已投入生產(chǎn)。TP90H050WS的典型導(dǎo)通電阻為50毫歐，瞬態(tài)峰值額定值為1千伏，現(xiàn)已通過電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)認(rèn)證。主要目標(biāo)市場是廣泛的工業(yè)和可再生能源，包括光伏逆變器、電池充電、不間斷電源、照明和儲能等應(yīng)用。此外，憑借900 V產(chǎn)品組合，Transphorm正逐步擴(kuò)大電壓范圍，以涵蓋三相應(yīng)用。

去年推出的TP90H050WS是該公司繼TP90H180PS之后的第二款900 V器件。雙芯片式常關(guān)型功率晶體管采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，具有±20 V柵極魯棒性，從而提高其在電力系統(tǒng)中的可靠性和可設(shè)計(jì)性。Transphorm的高速GaN與耐熱性強(qiáng)的TO-247封裝相結(jié)合，使系統(tǒng)在具有無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)的典型半橋配置中可獲得超過99%的效率，同時(shí)產(chǎn)生高達(dá)10 kW的功率。

Transphorm技術(shù)營銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900 V平臺上所做的工作展示了高壓氮化鎵功率晶體管所具備的功能。該器件使我們能夠支持我們之前無法涉足的應(yīng)用。在提供這些50毫歐FET的樣品時(shí)，我們見證了來自客戶的濃厚興趣。我們可以自豪地說，它們的供應(yīng)狀態(tài)現(xiàn)已轉(zhuǎn)變?yōu)槟軌驖M足客戶需求的大批量生產(chǎn)?！?/p>

900 V GaN應(yīng)用

伊利諾伊理工學(xué)院(IIT)目前正在一個(gè)先進(jìn)能源研究計(jì)劃署(ARPA-E)的Circuits計(jì)劃中利用TP90H050WS開展相關(guān)工作，該計(jì)劃將Transphorm的前沿產(chǎn)品與IIT的創(chuàng)新型固態(tài)開關(guān)拓?fù)洫?dú)特結(jié)合。該項(xiàng)目將為可再生能源微電網(wǎng)生產(chǎn)可靠的固態(tài)斷路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件開發(fā)自主操作、可編程的智能雙向SSCB。

伊利諾伊理工學(xué)院的John Shen博士解釋道：“我們的SSCB項(xiàng)目需要一種非傳統(tǒng)的電源轉(zhuǎn)換解決方案，該解決方案不僅要在速度方面優(yōu)于機(jī)械式斷路器，而且還需要幫助我們降低功耗。Transphorm的GaN技術(shù)超出了我們的預(yù)期。它提供完整封裝、 高功率密度、可靠的雙向性，并且作為市面上唯一的900 V GaN器件，以一種小型封裝提供了前所未有的功率輸出。”

900 V評估板

Transphorm借助其直交逆變器評估板來繼續(xù)簡化開發(fā)工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫歐FET設(shè)計(jì)，使用全橋拓?fù)鋪碇С忠?00 kHz或以上頻率運(yùn)行的單相逆變器系統(tǒng)。

該評估板及兩款已投產(chǎn)的900 V晶體管可通過Digi-Key和Mouser獲取，鏈接如下：

• TP90H050WS (50 mΩ TO-247 FET)：Digi-Key/Mouser
• TP90H180PS (170 mΩ TO-220 FET)：Digi-Key/Mouser
• TDINV3500P100-KIT：Digi-Key/Mouser

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng) ，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓GaN半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠。如需了解更多信息，請?jiān)L問www.transphormchina.com。在Twitter@transphormusa上關(guān)注我們。