南京集芯光電技術研究院有限公司技術總監(jiān)雷建明將受邀出席論壇，并分享“氮化鎵功率開關器件及其在超輕薄開關電源領域的應用研究”的主題報告。

 

GaN功率開關器件替換Si基MOSFET器件在開關電源中應用，并非簡單意義上的直接替換。GaN基電源最大的特點是將工作頻率提高數(shù)十倍，然而，工作頻率的提高會帶來更為嚴峻的噪聲處理問題。另一方面，GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱，且存在固有的物理缺陷。報告將從器件、驅(qū)動、控制、拓撲電路等方面全方位提出解決方案，在實現(xiàn)超輕薄目標的基礎上，進一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。

 

雷建明博士主要從事 GaN HEMT 器件的動態(tài)特性表征、可靠性分析及其在開關電源中的電路模塊設計、產(chǎn)品可靠性研究。具有十年電源設計和企業(yè)管理工作經(jīng)驗，曾任外企總工程師和國內(nèi)上市公司部門經(jīng)理，已開發(fā)出十多款基于 GaN 器件的驅(qū)動電路模塊。主持省市級課題2項，獲已授權發(fā)明專利13項，其中2項國際發(fā)明專利，發(fā)表SCI論文9篇。

 

南京集芯光電技術研究院有限公司是2018年成立的南京市新型研發(fā)機構。企業(yè)的定位是進行科研成果轉化工作，同時承擔了產(chǎn)業(yè)項目孵化和引進的職能。研究院經(jīng)過3年運營，形成了以光電技術為主，高新材料、節(jié)能環(huán)保、信息工程、先進制造為輔的五個產(chǎn)業(yè)方向。技術水平領先，第三代半導體材料和器件產(chǎn)品是研究院的特色技術產(chǎn)品。目前已經(jīng)具備氮化鎵功率器件設計、超薄輕快電源設計、生產(chǎn)、銷售的能力。

 

時間：2021年4月21日（09：00-17:30）

 

地點：上海·上海世博展覽館1號館-NEPCON劇院（上海市浦東新區(qū)國展路1099號）